报告题目：WSe2/MoSe2 单分子薄膜的生长与缺陷研究

报 告 人：刘红军，湖南大学物理与微电子科学学院

报告时间：2016年1月18日16：00-17：30

报告地点：理科楼B406

报告摘要：二维过渡金属硫族化合物（MX2，M=Mo，W，X=S，Se，Te）是近年来研究得非常广泛的类似于石墨烯的层状化合物，其同层分子之间有着很强的共价键链接，相邻层之间只存在着非常弱的范德华力。由于其特殊的电子结构，单分子层过渡金属硫族化合物在太阳能电池、光电、电子以及催化等领域有着广泛的应用1,2。该系列材料的表面是没有表面态的惰性结构，因此该材料中的缺陷对于该材料的电子性质和应用有着很大影响。我们通过分子束外延方法生长得到MoSe₂和WSe₂单分子薄膜，通过STM研究了其生长规律。在此基础上，通过STM，TEM和第一原理计算，我们提出了MoSe₂薄膜中的一维缺陷结构模型。与此同时，我们通过低温STM/STS实验，分析了该材料表面由于一维缺陷和点缺陷引起的新奇的物理现象，包括由于量子限制作用产生的一维量子阱，STM针尖诱发的能带弯曲和在点缺陷附近的驻波干涉现象。这些发现为MoSe₂和WSe₂在光电和能谷自旋方面的应用提供了重要的物理参数。

参考文献

1. 1. Liu H.J. et al., Nat. Commun., 6, 8180 (2015).

2. 2. Liu H.J. et al., ACS Nano, 2015, 9(6) 6619.

3. 3. Liu H.J. et al., Phys. Rev. Lett.，2014. 113(6) 066105.