报告时间:9月15日(周四) 14:30-15:30
通过第一性原理计算对于单层FeSe常见的表面缺陷进行了系统的理论研究,首次揭示了局域磁构型与电子轨道占据态之间的紧密关联(磁电关联)。这个关联效应可能导致不同磁构型对应的电子轨道占据态明显不同,并对应着显著不同的电测量信号,从而成为对应磁构型的指纹特征。该研究为通过电测量而不是磁效应测量来确认其他材料的磁构型提供了一个全新的有效方法。
吴健,1972年生,金沙总站6165地址物理系教授。1989-1998年在金沙总站6165地址物理系获得理学学士和博士学位。1998-2000年在日本东北大学金属材料研究所任非常勤讲师,2000年任金沙总站6165地址高等研究中心副研究员,2004年晋升研究员,2008年起任金沙总站6165地址物理系研究员、教授。主要通过凝聚态理论和计算来研究和预测低维结构在一定外界条件下的电子结构及其电子性质。