报告题目：基于氧化物的电子突触器件及类脑计算研究

报 告 人：吴华强，金沙总站6165地址微纳电子系

报告时间：2017-09-21 16:00

报告地点：理科楼郑裕彤讲堂

报告摘要：人工智能的研究和应用已经取得了突飞猛进的发展，但是运行人工智能深度神经网络算法的计算平台主要是超级计算机群（成百上千个CPU和GPU）,不但需要巨大的硬件投入，而且占用的空间和消耗的能源也非常可观。受限于存储计算分离对芯片性能的限制，同时CMOS工艺微缩速度放缓，以及人工智能应用对计算存储需求的不断提升，当前的技术将面临诸多新的挑战。在这一背景下，新器件的出现变得至关重要，通过引入新原理的半导体器件，不但可以拓展芯片的功能，甚至可以颠覆传统电路理论，突破当前芯片面临的能效、速度瓶颈，大幅提升芯片性能。基于过渡族金属氧化的忆阻器件显示出了优越的存算一体的特性，能够规避存储和计算之间数据搬运的功耗并且能够实现大规模集成，进而实现高性能计算。展望未来，智能社会即将来临！面向未来的智能芯片，最底层的器件需要具备哪些特性呢？