报告题目：双势垒磁性隧道结中量子阱共振隧穿磁电阻效应

报 告 人：韩秀峰，中国科学院物理研究所

报告时间：2017年3月30日16：00

报告地点：郑裕彤讲堂

报告摘要：该报告将简要介绍基于Al-O非晶势垒、准单晶和单晶MgO(001)势垒以及尖晶石MgAl2O4(001)等势垒的磁性隧道结材料制备和隧穿磁电阻(TMR)效应以及基于量子阱态的自旋相关共振隧穿磁电阻(QW-TMR)效应等物理研究，并简要介绍磁性隧道结(MTJ)及其隧穿磁电阻效应(TMR)在自旋电子学核心器件方面的重要代表性研究进展与应用，例如自旋共振隧穿二极管、磁随机存取存储器(MRAM)、高灵敏度低噪声的TMR磁敏传感器等等。