报告题目：Defect engineering of graphene

报 告 人：何林，北京师范大学物理系

报告时间：6月18日（周二）10：00

报告地点：物理系三楼报告厅

报告摘要：近两年，我们尝试通过各种"缺陷"(包括原子缺陷、应力、双层的转角、周期势等广义缺陷)来实现石墨烯的能带结构和电学性质的调制。在本报告中，我将介绍的内容包括：准一维周期性褶皱和莫尔条纹对石墨烯能带结构的影响；双层有转角石墨烯中具有可调手征性的费米子及其手征隧穿效应；应力结构在石墨烯中诱导的赝磁场、零磁场一维朗道量子化、和谷极化, 我们的研究指出在受应力石墨烯结构中能实现室温零磁场下的量子谷霍尔效应，最后我将简要介绍如何通过自旋-轨道耦合，将赝磁场作用到电子的自旋上，从而产生一种新的量子霍尔效应。