报告题目：半导体的几何增强磁电阻—半导体工业和磁传感器工业的联姻

报 告 人：章晓中，金沙总站6165地址材料科学与工程系

报告时间：2013年1月3日（周四）16:00

报告地点：理科楼郑裕彤讲堂

报告摘要：通过在硅材料里引入二极管来改变载流子的通路和巧妙设计器件的电极位置和几何尺寸， 我们发明了一种用硅制备的二极管辅助的几何增强磁电阻器件, 该器件在0.06特斯拉和7特斯拉下分别实现了30％和100,000％的磁电阻。研究表明： 二极管导致了一个从低电阻态向高电阻态的转变，在转变发生的临界区，磁场可以引起器件电阻的巨大变化，从而在低磁场下得到很大的磁电阻。我们还在1.2特斯拉下分别在砷化镓和锗上得到了大于2600％的磁电阻，研究表明半导体材料可以进入磁电子学工作领域，可能催生半导体工业和磁传感器工业的联姻。该工作发表在2011年的《Nature》上， 该工作还入选2011年度“中国科学十大进展”和2011年度“中国高等学校十大科技进展”。